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De la recherche au développement...
Au cours de son histoire, Photowatt International a toujours pu s’appuyer sur un effectif en Recherche et Développement d’envergure pour développer des solutions d’avenir. Ainsi, notre équipe est à l’origine de plusieurs brevets détenus par l’entreprise tel le dispositif de transfert de plaque, le procédé de texturisation iso-tropique par acide, l’intégration des diodes by-pass dans l’empilage laminé Module ou la technique de formation simultanée des jonctions n+p et pp+ sur les deux faces d’une plaque de silicium.
Notre équipe dédiée à la R&D a su également donner le jour à des nombreuses innovations, parmi lesquelles :
La réduction des pertes de sciage (kerf loss) à 160 µm. et émetteur sélectif en 2007.
Cette réduction du kerf-loss (la perte de silicium due au sciage) de 210 µm à 160µm permet de baisser d’environ 20% la consommation de silicium pour l’étape de sciage de plaques.
Par ailleurs, l’émetteur sélectif consiste en un surdopage de l'émetteur sous la région des contacts, laissant faible la concentration de surface entre les lignes de contact. Cette structure permet d’améliorer la passivation de surface en conservant une bonne résistance de contact et par conséquent d’augmenter le rendement de conversion de la cellule solaire.
La création du lingot de 450kg en 2008
Cette réduction du kerf-loss (la perte de silicium due au sciage) de 210 µm à 160µm permet de baisser d’environ 20% la consommation de silicium pour l’étape de sciage de plaques.
L’augmentation de la taille des lingots permet d’améliorer la proportion de la partie de bonne qualité du lingot, d’augmenter la productivité, de réduire la consommation énergétique et par conséquent de réduire fortement le coût de production.
Parallèlement Photowatt a effectué une ré-optimisation profonde de l’ensemble de sa chaine de fabrication comprenant :
L’optimisation du procédé de cristallisation afin d’améliorer la qualité électrique du matériau silicium multicristallin.
L’amélioration de la passivation de surface en introduisant d’un nouvel émetteur passivable en modifiant le niveau de dopage et la profondeur de ce dernier de manière à améliorer la conversion d’énergie dans les courtes longueurs d’onde : UV et bleu.
La réduction du taux d’ombrage des cellules pour diminuer la perte engendrée par la surface ombrée des lignes de sérigraphie.
L’amélioration de la technique de soudure des cellules, permettant de réduire les pertes résistives des connexions module.
Le renforcement d’effet antireflet des modules dans le but d’augmenter l’absorption des photons à travers le verre module.
L’amélioration des caractérisations et la traçabilité des procédés de fabrication.